Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 34: Ultrakurzzeitdynamik II

HL 34.2: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 16:15–16:30, H2

Theorie des dynamischen Hyper-Raman-Effekts von Exzitonen in koh"arent angeregten Halbleitern — •Karsten Hannewald, Stephan Glutsch, and Friedhelm Bechstedt — Friedrich-Schiller-Universit"at Jena, Institut f"ur Festk"orpertheorie und Theoretische Optik, Max-Wien-Platz 1, D–07743 Jena

Vor kurzem wurde der dynamische Hyper-Raman-Effekt in GaAs experimentell nachgewiesen [1,2]. Auf der Grundlage der Halbleiter-Bloch-Gleichungen können die experimentellen Befunde qualitativ und — sofern die veröffentlichten Daten das zulassen — quantitativ erklärt werden. Im Gegensatz zur stationären Behandlung ist das Gainspektrum verbreitert und das Gainmaximum ist bezüglich der an der Pumpfrequenz gespiegelten Exzitonenposition rotverschoben, was auf die Bedeutung von Kontinuumszuständen hindeutet. Für sehr kleine Feldstärken oder sehr großes Detuning verhalten sich Amplitude und Position des Gainspektrum gemäß den Voraussagen des atomaren Modells. Unter realistischen Bedingungen dagegen wird ein Sättigungsverhalten der Amplitude beobachtet.

[1] J.-P. Likforman et al., Phys. Rev. Lett. 79, 3716 (1997).

[2] J.-P. Likforman et al., phys. stat. sol. (b) 206, 71 (1998).