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HL: Halbleiterphysik

HL 35: Ionenimplantation

HL 35.3: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 18:15–18:30, H2

Photolumineszenzmessungen zur Charakterisierung der mit fokussiertem Ionenstrahl strukturierten Quantentöpfen — •S. Eshlaghi^1,2, C. Meier², A.D. Wieck² und D. Suter¹ — ¹Universität Dortmund, Exp. III — ²Ruhr-Universität Bochum, Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik

Quantenstrukturen aus GaAs / Al_x Ga_1−xAs können lateral mit fokussierten Ionenstrahlen strukturiert werden, um z.B. Quantendrähte zu erzeugen. Die dabei entstehenden Implantationsschäden werden durch thermische Nachbehandlung ausgeheilt. Um gezielt Strukturen erzeugen zu können, ist eine genaue Kenntnis der Tiefenverteilung der Ionen erforderlich. Wir untersuchen diese mit Photolumineszenzmessungen an Multi-Quantentrog Proben. Ein Vergleich mit theoretischen Voraussagen (Trim-Simulation) zeigt, daß diese die Eindringtiefe unterschätzt. Wir führen dies darauf zurück, daß das theoretische Modell ein amorphes Material Voraussetzt und Channeling Effekte vernachlässigt.