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HL: Halbleiterphysik

HL 35: Ionenimplantation

HL 35.4: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 18:30–18:45, H2

MOCVD-Epitaxie auf freitragenden HVPE-GaN-Substraten — •C. R. Miskys, M. K. Kelly, O. Ambacher und M. Stutzmann — Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Freitragende GaN-Substrate können mit einem speziellen Laser-

liftoff-Verfahren durch Ablösen dicker HVPE (Hydride Vapour

Phase Epitaxy) Schichten von den Saphirsubstraten hergestellt

werden. Die mit diesem Prozeß [1] gewonnenen

großflächigen, unverspannten GaN-Substrate sind optimal

für GaN-Homoepitaxie geeignet, da eine perfekte Gitter- und

thermische Anpassung vorliegt. Die Homo- und Heteroepitaxie

auf freitragenden HVPE-GaN stellt ein großes Potential

für optoelektronische Bauelemente dar. Gründe dafür

sind die bessere Wärmeabfuhr, die Möglichkeit der

direkten Rückseiten-Kontaktierung des leitfähigen GaN-

Substrates und eine einfache Herstellung von kantenemittierenden

Lasern durch Spalten. Auf diese HVPE-GaN-Substrate wurden

mittels Niederdruck MOCVD-Verfahren dicke homoepitaktische

Schichten abgeschieden. Jüngste Ergebnisse der strukturellen

und optischen Charakterisierung (REM, AFM, XRD, PL) dieser

Schichten werden präsentiert.

[1] M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, R. Handschuh und

M. Stutzmann, phys. stat. sol. (a) 159, R3 (1997)