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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Heterostrukturen II

HL 36.11: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 18:30–18:45, H3

Elektroabsorption in parabolischen Quantentopfstrukturen mit digitaler und analoger Realisierung des Potentialprofils — •M. Eckardt¹, W. Geißelbrecht¹, U. Klütz¹, G.H. Döhler¹, K. Maranowski² und A.C. Gossard² — ¹Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Materials Department, University of California, Santa Barbara, USA

Im Materialsystem AlGaAs lassen sich durch Variation des mittleren Al-Gehalts Heterostrukturen realisieren, deren Potentialprofil im Valenz- und Leitungsband quadratisch über den Ort variiert. Solche parabolischen Quantentopfstrukturen können mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie dadurch hergestellt werden, daß entweder durch geeignete Variation der Temperatur der Al-Effusionszelle das Verhältnis des Angebots an Ga- und Al-Atomen kontinuierlich variiert wird (analoge Realisierung), oder daß unter Verwendung eines kurzperiodigen Übergitters aus GaAs und AlGaAs das Verhältnis der Schichtdicken beider Materialien von Periode zu Periode variiert wird (digitale Realisierung).

Wir berichten über eine systematische experimentelle und theoretische Untersuchung der elektro-optischen Eigenschaften verschiedener Proben, die hinsichtlich Topfbreite und Topfhöhe alle denselben parabolischen Quantentopf enthalten, der aber auf jeweils unterschiedliche Art und Weise realisiert wurde. In allen Fällen ergibt sich ein komplexes Wechselspiel verschiedener elektro-optischer Effekte in der Interbandabsorption. Darüberhinaus kann erstmals an einer auf digitale Art und Weise hergestellten Probe auch ein Einfluß des verwendeten Übergitters auf die Absorptionseigenschaften, der sich in zusätzlichen Strukturen in den Spektren bei hohen elektrischen Feldern äußert, experimentell beobachtet und theoretisch bestätigt werden.