Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 36: Heterostrukturen II

HL 36.12: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 18:45–19:00, H3

Bandspruenge in Heterostrukturen aus amorphem/kristallinem Silizium — •Thomas Unold, Max Roesch, Ralf Pointmayer und Gottfried Bauer — Fachbereich Physik, CvO Universitaet Oldenburg

Die Kenntnis der Bandspruenge in Heterostrukturen aus

amorphem/kristallinem Silizium ist von grosser Wichtigkeit. In

der Literatur finden sich eine Anzahl von Messungen, die

alle auf einen grossen Valenzbandsprung und einen kleinen

(<100meV) Leitungsbandsprung hindeuten. Diese Messungen fanden

jedoch fast ausschliesslich an isotypen Heterouebergangen statt,

um die Moeglichkeit von Tunnelstroemen durch Potentialspitzen

zu vermeiden.

Wir haben an anisotypen a-Si/c-Si Heterouebergaengen, d.h.

Dioden, Photokapazitaet, CV, und temperaturabhaengige Hellkennlinien

gemessen. Diese Messungen lassen sich nicht mit den obigen

Literaturwerten fuer die Bandspruenge erklaeren, sondern deuten

darauf hin dass in diesen anisotypen Heterostrukturen die

Bandspruenge undgefaehr gleichmaessig auf das Leitungsband und

Valenzband verteilt sind.