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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Heterostrukturen II

HL 36.2: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 16:15–16:30, H3

Berechnung des elektronischen Transportes nahe dem Metall-Isolator Übergang — •Andre Löser und Heinrich Solbrig — Institut für Physik, Technische Universität, D-09107 Chemnitz

Die Büttiker-Formel wurde mit Hilfe einer Layer-KKR Methode für

realistische Materialmodelle ausgewertet (flüssige 3d-Übergangsmetalle,

flüssiges und amorphes Silizium, Silizide).

Aus dem Leitwert als Funktion der Probenlänge werden die spezifischen

Widerstände bestimmt.

Die Methode wird weiter zur Untersuchng des MIT in Systemen mit

nanoskopischen Inhomogenitäten eingesetzt.

Insbesondere wird die Resonanztransmission in Heterostrukturen

(Silizium-Cobaltdisilizid und Silizium-Germanium) untersucht.

Dabei erhalten wir Aussagen zur Kopplung von Resonanzen.