Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Heterostrukturen II

HL 36.6: Talk

Thursday, March 25, 1999, 17:15–17:30, H3

Einfluß der Unordnung auf den vertikalen Transport in δ-dotierten GaAs-Übergittern — •H. Willenberg, R. Elpelt, O. Wolst, A. Schwanhäusser, S. Malzer, C. Metzner, S. Rott und G.H. Döhler — Institut für Technische Physik I, Erlangen

δ-Dotierungsübergitter weisen ein sägezahnförmiges Bandkantenprofil auf, das zu einer Quantisierung der Zustände in Wachstumsrichtung führt. Gegenstand unserer Untersuchungen ist der Transport der Elektronen in schwach gekoppelten n-Typ Übergittern aufgrund eines in Wachstumsrichtung angelegten elektrischen Feldes (Vertikaler Transport). Angesichts großer Subbandabstände - bis zu hundert meV - erwartet man ausgeprägte Resonanzen in der feldabhängigen Transmission. Demgegenüber bewirkt die reale, nahezu statistische Verteilung der Dotieratome laterale Potentialfluktuationen und eine Aufweichung des resonanten Charakters. Das vorgestellte Transportmodell basiert auf störungstheoretischen Methoden und ermittelt die lokalen Tunnel- und Streuraten bis zu 2.Ordnung. Die Potentialfluktuationen werden im Rahmen einer Monte-Carlo-Simulation berücksichtigt. Die theoretischen Ergebnisse werden sowohl mit einer einfachen WKB-Rechnung, bei der die Potentialfluktuationen miteinbezogen werden, als auch mit dem Experiment quantitativ verglichen. Die Gegenüberstellung zeigt, daß der Einfluß der vorhandenen Unordnung die in einem naiven Bild erwartete Struktur der feldabhängigen Stromdichte vollständig glättet.