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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Heterostrukturen II

HL 36.9: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 18:00–18:15, H3

Monte-Carlo Simulation des Transportes in Halbleiterübergittern unter dem Einfluss von hochfrequenten Wechselfeldern — •A. Markus, S. Rott, P. Binder und G. H. Döhler — Institut für Technische Physik 1, Universität Erlangen, Erwin-Rommel-Str. 1, D-91058 Erlangen

Beim elektronischen Transport in Übergittern unter dem Einfluss von Gleich- und Wechselfeldern kommt es, je nach Stärke des Wechselfeldes, zu einer Unterdrückung des zeitgemittelten Gleichstromes, die bei geeigneten Frequenzen und Feldstärken sogar zum Auftreten von absoluter negativer Leitfähigkeit führen kann.

Wir untersuchen die zeitabhängige sowie die zeitgemittelte Antwort der Driftgeschwindigkeit auf das äussere Hochfrequenzfeld mit Hilfe einer Monte-Carlo Simulation im semiklassischen Miniband. Dabei werden sowohl elastische (Störstellen) wie inelastische (akustische und optische Phononen) Streuprozesse berücksichtigt.

Unsere Simulationen zeigen, dass die mittlere Driftgeschwindigkeit dem äusseren Feld bei kleinen Frequenzen folgen kann, dass bei Wechselfeldfrequenzen im Bereich der Bloch-Oszillationsfrequenz jedoch Resonanzen auftreten, die zu einer starken Erhöhung bzw. Unterdrückung der dc-Stromantwort führen können. Insbesondere wird der unterschiedliche Einfluss elastischer und inelastischer Streuung sowie der Amplitude des Wechselfeldes auf die resultierende Driftgeschwindigkeit diskutiert.