Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 37: Halbleiterlaser II
HL 37.1: Vortrag
Donnerstag, 25. März 1999, 16:00–16:15, H4
Oberflächenemittierende (GaIn)(NAs)/GaAs Laserstrukturen für 1,3 µm Emissionwellenlänge — •C. Ellmers, F. Höhnsdorf, J. Koch, C. Agert, S. Leu, D. Karaiskaj, M.R. Hofmann, W. Stolz und W.W. Rühle — Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität, Renthof 5,
D-35032 Marburg
Oberflächenemittierende Halbleiterlaser bei
1,3 und 1,5 µm konnten sich bisher nicht durchsetzen.
Hauptgrund ist, daß
im (GaIn)(PAs)/InP Materialsystem, dem Standardsystem
für kantenemittierende Laser in diesem Spektralbereich,
keine epitaktischen Schichten mit genügend grossem
Brechungsindexkontrast für hochreflektierende Bragg-Reflektoren
zur Verfügung stehen.
Eine neue Alternative bieten hier (GaIn)(NAs) Quantenfilme, da sie im
Wellenlängenbereich von 1,3 bis sogar 1,5 µm emittieren und
gitterangepaßt
auf GaAs gewachsen werden können. Damit sind vollepitaktische
Mikroresonatorlaser mit hochreflektierenden AlAs/GaAs basierenden
Bragg-Reflektoren realisierbar.
Wir haben (GaIn)(NAs)/GaAs Mikroresonatorlaser
für ultraschnelle
Emissionsdynamik nahe 1,3 µm bei
Raumtemperatur
entworfen und mit
metallorganischer Gasphasenepitaxie erstmals realisiert.
Bei Anregung mit einem 100 fs Laser beobachten wir
Pulsbreiten der stimulierten Emission von 10,5 ps. Zeitintegrierte
Spektren
zeigen Emissionswellenlängen zwischen 1,26 und 1,285 µm sowie
niedrige Laserschwellwerte von 1,6 bis 2,3 kW/cm2. Diese Resultate
zeigen, daß (GaIn)(NAs) ein sehr gut geeignetes Material für
ultraschnelle oberflächenemittierende Laser bei 1,3 µm ist.