Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 3: GaN I
Monday, March 22, 1999, 10:30–13:30, H2
10:30 | HL 3.1 | Lattice Dynamics of Group III Nitride Semiconductor Compounds — •P. Pavone, M. Pabst, R. Plomer, S. Bruckmoser, and D. Strauch | |
10:45 | HL 3.2 | Si-Dotierung kubischer GaN Epitaxieschichten — •Donat Josef As, Jörg Busch, Martin Lübbers, Bernd Schöttker, Jürgen Mimkes, Detlef Schikora, Klaus Lischka, Willhelm Kriegseis und Bruno K. Meyer | |
11:00 | HL 3.3 |
Molekularstrahlepitaxie von c-InxGa1-xN/GaN/GaAs(001) Heterostrukturen mit variablem In-Gehalt. — •Thomas Frey, Martin Bartels, Donat Josef As, Detlef Schikora und Klaus Lischka |
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11:15 | HL 3.4 | Bestimmung der Quasiteilchenbandstruktur und des Einflusses der Semi-Core Zustände in c-GaN mit dem SAPW-GWΓ-Verfahren — •Gregor-Martin Fehrenbach und Helmut Bross | |
11:30 | HL 3.5 | MBE-Wachstum von AlGaN/GaN Heterostrukturen für Feldeffekttransistoren — •Roman Dimitrov, Lars Wittmer, Andrea Mitchell, Oliver Ambacher, Martin Stutzmann, Jörg Hilsenbeck und Walter Rieger | |
11:45 | HL 3.6 | Einfluß der Akzeptordotierung auf die Photoleitung von MBE-GaN — •Marco Lisker, Andre Krschil, Hartmut Witte, Jürgen Christen, Udo Birkle, Sven Einfeldt und Detlef Hommel | |
12:00 | HL 3.7 | AFM/STM Untersuchung von offenen Schraubenversetzungen und Substrateinflüssen auf MBE-gewachsenen AlN Schichten — •Marcel Rattunde und Dirk G. Ebling | |
12:15 | HL 3.8 | Surfactants und Diffusion auf GaN (0001) Oberflächen — •Tosja Zywietz | |
12:30 | HL 3.9 | Reflectance Difference Spectroscopy (RDS) Untersuchungen von AlxGa1−xN Schichten — •U. Rossow, O. Ambacher, N.V. Edwards, D.E. Aspnes, J. A. Schaefer und M. Stutzmann | |
12:45 | HL 3.10 | Einfluß der MBE-Wachstumsparameter auf die Morphologie von AlN-Schichten — •Lars Steinke und Dirk G. Ebling | |
13:00 | HL 3.11 | AlGaN basierende Photoleiter als schmalbandige UV-Detektoren — •Armin Dobner, Uwe Karrer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann | |
13:15 | HL 3.12 | Auswirkungen der Polarität auf die elektrischen und strukturellen Eigenschaften von AlGaN/GaN Heterostrukturen — •Andrea Mitchell, Roman Dimitrov, Lars Wittmer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann | |