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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen I

HL 4.11: Talk

Monday, March 22, 1999, 13:00–13:15, H3

Heteroepitaktische CoSi2/CaF2 Strukturen auf Si(111) — •B.H. Müller und K.R. Hofmann — Inst. f. Halbleitertechnologie

Heteroepitaktische Metall-Isolatorstrukturen bilden den Ausgangs punkt für eine Reihe von interessanten Anwendungen in der Mikroelektronik. Neben klassischen Verbindungs- bzw. Isolationsaufgaben könnten sich mit ihnen neue auf quantenmechanischen Grundlagen basierende Bauelemente, wie zB. Resonante Tunneldioden, realisieren lassen. Für die meisten dieser Anwendungen sind defektfreie epitaktische Schichten wünschenswert oder erforderlich. Weiterhin sollten sie im Sinne einer späteren technologischen Verwendbarkeit siliziumtechnologie-kompatibel sein.

Das System CoSi2/CaF2 ist dafür ein aussichtsreicher Kandidat: Mittels MBE wurden verschiedene dünne (<10nm) CoSi2/CaF2 - Strukturen gewachsen. CaF2 wurde aus einer Clusterquelle, die die Möglichkeit einer Nachionisation eines Teil des Molekülstahls bietet verdampft. ringen von 4ML Si bei 550−600C und 2ML Co bei <100C) mit nachfolgendem Temperschritt erzeugt. Untersucht wurde der Einfluß der verschiedenen Quellen- und Substratparameter auf Topographie (mittels AFM und SEM), Defektstruktur (TEM, XRD) und elektrische Eigenschaften (Hall- und Widerstandsmessungen).

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