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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen I

HL 4.11: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 13:00–13:15, H3

Heteroepitaktische CoSi₂/CaF₂ Strukturen auf Si(111) — •B.H. Müller und K.R. Hofmann — Inst. f. Halbleitertechnologie

Heteroepitaktische Metall-Isolatorstrukturen bilden den Ausgangs punkt für eine Reihe von interessanten Anwendungen in der Mikroelektronik. Neben klassischen Verbindungs- bzw. Isolationsaufgaben könnten sich mit ihnen neue auf quantenmechanischen Grundlagen basierende Bauelemente, wie zB. Resonante Tunneldioden, realisieren lassen. Für die meisten dieser Anwendungen sind defektfreie epitaktische Schichten wünschenswert oder erforderlich. Weiterhin sollten sie im Sinne einer späteren technologischen Verwendbarkeit siliziumtechnologie-kompatibel sein.

Das System CoSi₂/CaF₂ ist dafür ein aussichtsreicher Kandidat: Mittels MBE wurden verschiedene dünne (<10nm) CoSi₂/CaF₂ - Strukturen gewachsen. CaF₂ wurde aus einer Clusterquelle, die die Möglichkeit einer Nachionisation eines Teil des Molekülstahls bietet verdampft. ringen von 4ML Si bei 550−600^∘C und 2ML Co bei <100^∘C) mit nachfolgendem Temperschritt erzeugt. Untersucht wurde der Einfluß der verschiedenen Quellen- und Substratparameter auf Topographie (mittels AFM und SEM), Defektstruktur (TEM, XRD) und elektrische Eigenschaften (Hall- und Widerstandsmessungen).