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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen I

HL 4.1: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 10:30–10:45, H3

Dichteabhängigkeit der Elektronenbeweglichkeit und ihre Anisotropie im Fall eines parallelleitenden Kanals in einer selektiv dotierten Al_xGa_1−xAs/GaAs-Heterostruktur — •D. Reuter, M. Schneider und A.D. Wieck — Ruhr-Universität Bochum, Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum

In einer selektiv dotierten Al_xGa_1−xAs/GaAs-Heterostruktur kann die Elektronendichte n bei tiefen Temperaturen mittels Anlegen einer Gatespannung oder durch schrittweise Beleuchtung erhöht werden. Im allgemeinen beobachtet man dabei eine monotone Zunahme der Elektronenbeweglichkeit µ. In hochdotierten Strukturen mit dünner Spacerschicht ist allerdings bei Elektronendichten von etwa 5× 10¹¹ cm⁻² ein Plateau bzw. ein Einbruch in der µ-n–Kurve beobachtet worden. Dieser Einbruch ist entweder der Besetzung des zweiten Subbandes oder dem Einsatz von Parallelleitfähigkeit in der dotierten Schicht zugeschrieben worden. Wir präsentieren Messungen des longitudinalen Widerstandes in Abhängigkeit vom Magnetfeld, die eindeutig das Auftreten von Parallelleitfähigkeit zeigen. Zudem haben wir die Anisotropie in der Elektronenbeweglichkeit gemessen und es zeigt sich, daß die Anisotropie mit Einsatz der Parallelleitfähigkeit deutlich zunimmt.
Diese Arbeit wurde im Rahmen des Graduiertenkollegs 384 gefördert.