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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen I

HL 4.6: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 11:45–12:00, H3

Temperaturabhängigkeit der elektronischen Zustände einer InAs/GaAs-Monolagenstruktur aus Photolumineszenzmessungen — •A.R. Goñi¹, A. Cantarero², S. Reich¹, C. Thomsen¹ und P.V. Santos³ — ¹Institut für Ferstkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Dpto. de Fisica Aplicada, Universidad de Valencia, Burjassot, E-46100 Valencia — ³Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin

Photolumineszenzmessugen (PL) an einer InAs/GaAs-Monolagenstruktur wurden als Funktion der Temperatur im Bereich von 5 bis 150 K durchgeführt. Die Emission aus einer Spaltfläche der Probe zeichnet sich durch einen intensiven, von der GaAs Bandlücke um ca. 100 meV rotverschobenen Peak aus, dessen energetische Lage davon abhängt, ob das Licht parallel oder senkrecht zur InAs-Schicht linear polarisiert ist. Mit Hilfe von tight binding Rechnungen konnten beide PL-Linien zu optischen Übergängen, die von der strahlenden Rekombination des ersten schweren (1HH) und ersten leichten (1LH) Loch-Exzitons herrühren, zugeordnet werden. Ein interessanter Effekt ist die Zunahme der 1HH-1LH Aufspaltung mit zunehmender Temperatur, welcher durch die Anisotropie in den vibronischen Eigenschaften und der Elektron-Phonon-Kopplung der InAs-Monolage entsteht.