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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 40: GaN III

HL 40.2: Talk

Friday, March 26, 1999, 09:45–10:00, H2

Temperaturabhängigkeit der E2- und A1(LO)-Phononen in GaN- und AlN-Schichten — •A. Link1, W. Limmer1, K. Bitzer1, Ch. Kirchner2, A. Pelzmann2, M. Kamp2, D. Ebling3, L. Steinke3, K.W. Benz3 und R. Sauer11Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, D-89081 Ulm — 2Abteilung Optoelektronik, Universität Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, D-89081 Ulm — 3Freiburger Materialforschungszentrum, Albert-Ludwigs-Universität, Stefan-Meier-Straße 21, D-79104 Freiburg

Die Frequenzen und Dämpfungen der E2- und A1(LO)-Phononen in MOVPE-gewachsenen GaN- und MBE-gewachsenen AlN-Schichten wurden mittels Ramanspektroskopie im Temperaturbereich von 85 K bis 760 K gemessen. Untersucht wurden zwei 2 µm dicke GaN-Schichten (undotiert und Si-dotiert) auf Saphir-Substrat und zwei nominell undotierte 0,5 µm dicke AlN-Schichten auf Saphir- und SiC-Substrat. Die experimentell bestimmten Frequenzen und Dämpfungen lassen sich sehr gut mit einem theoretischen Modell beschreiben, bei dem die thermische Gitterausdehnung, der Zerfall in niederfrequente Phononen und der Einfluß der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten von Substrat und Schicht berücksichtigt werden.

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