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HL: Halbleiterphysik

HL 40: GaN III

HL 40.3: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 10:00–10:15, H2

UV-Detektoren auf der Basis von AlGaN Schottky-Dioden — •Uwe Karrer¹, Armin Dobner¹, Oliver Ambacher² und Martin Stutzmann¹ — ¹Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching — ²School of Electrical Engineering, Cornell University, Ithaca, NY14853, USA

Eine mögliche Anwendung der Gruppe-III-Nitride sind UV-Detektoren, die zur Überwachung und Regelung von Kohlenwasserstoff-Brennern, zur Messung der Sonnenstrahlung und deren Wirkung auf Lebewesen und in der Dosimetrie von Ozon verwendet werden können.
Das Wachstum der AlGaN-Schichten erfolgte mittels PIMBE (Plasma Induced Molecular Beam Epitaxy) auf c-plane Saphir-Substraten. Der Al-Gehalt der Schichten wurde mit Hilfe von XRD-Messungen bestimmt und im Bereich von 0 bis 60% variiert. Als Schottky-Kontakte wurden Pd, Ni, Pt und Au verwendet. Die Barrierenhöhen dieser Metall-Halbleiter-Kontakte wurden ermittelt. Aus der U-I-Charakteristik ergab sich ein Idealitätsfaktor von fünf, ein Serienwiderstand von 10 kΩ, ein Parallelwiderstand von 100 MΩ. und ein Vorwärts-/Rückwärtsverhältnis von fünf Größenordnungen zwischen -3 und +3 Volt. Die spektrale Empfindlichkeit zeigt einen Abfall von sechs Größenordnungen vom Maximum bei 260 nm hin zum sichtbaren Wellenlängenbereich. Intensitätsabhängige Photoleitfähigkeits-Experimente unterstreichen das Potential dieser UV-Detektoren. genau einmal