HL 40: GaN III
Friday, March 26, 1999, 09:30–11:00, H2
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09:30 |
HL 40.1 |
Characterization of free-carrier and crystal-structure properties of group III-nitride heterostructures by generalized infrared ellipsometry — •Mathias Schubert, Bernd Rheinländer, Craig M. Herzinger, Jürgen Off, and Ferdinand Scholz
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09:45 |
HL 40.2 |
Temperaturabhängigkeit der E2- und A1(LO)-Phononen in GaN- und AlN-Schichten — •A. Link, W. Limmer, K. Bitzer, Ch. Kirchner, A. Pelzmann, M. Kamp, D. Ebling, L. Steinke, K.W. Benz und R. Sauer
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10:00 |
HL 40.3 |
UV-Detektoren auf der Basis von AlGaN Schottky-Dioden — •Uwe Karrer, Armin Dobner, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann
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10:15 |
HL 40.4 |
Mikrostruktur von AlxGa1−xN-Schichten auf Al2O3-Substrat — •B. Rusch, B. Neubauer, D. Gerthsen, O. Ambacher und M. Stutzmann
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10:30 |
HL 40.5 |
Persistente Photoleitung und optisches Quenchen in GaN- AlGaN-Filmen: Spektrale Abhängigkeit und Grenzflächeneigenschaften — •Oliver Seifert, O. Kirfel, M. Munzel, M. Hirsch, J. Parisi, O. Ambacher, M. Kelly und M. Stutzmann
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10:45 |
HL 40.6 |
A THEORETICAL STUDY OF O CHEMISORPTION ON GAN (0001)/(000-1) SURFACES — •Joachim Elsner, Michael Haugk, Rafael Gutierrez, and Thomas Frauenheim
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