Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 41: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 41.1: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 11:00–11:15, H2

Röntgenabsorptions-, Photoemissions- und Reflexionsanisotropiemessungen an PTCDA-Schichten auf Se-passivierten GaAs (100)-Substraten — •S. Park, T. Querner, M. Schumann, T.U. Kampen und D.R.T. Zahn — Institut für Physik, Technische Universität, D-09107 Chemnitz

Organische Schichten auf Halbleitern besitzen ein hohes Anwendungspotential für die Herstellung organischer Leuchtdioden. Ein bekannter und weithin untersuchter Vertreter der organischen Moleküle ist 3,4,9,10-Perylentetrakarboxyl-Dianhydrid (PTCDA). Wir haben dünne PTCDA-Schichten mittels Organischer Molekularstrahldeposition (OMBD) auf unterschiedlich präparierte GaAs(100)-Substrate aufgebracht. Zur Ermittlung ihrer elektronischen und geometrischen Struktur wurden Röntgenabsorptions-, Photoemissions- und Reflexionsanisotropiemessungen vorgenommen.

Bei den Substraten handelte es sich um GaAs(100)-Wafer mit As-Schutzschicht. Diese Schutzschicht wurde durch Heizen im UHV entfernt. LEED- und RAS-Messungen nach der Reinigung zeigten eine c(4×4)- oder eine (2×4)-Überstruktur. Anschließend wurde die Probe mit Se passiviert, und es stellte sich eine (2×1)-Überstruktur ein. Auf diese Schicht wurde PTCDA aufgedampft. Aus ersten Röntgenabsorptionsuntersuchungen geht hervor, daß sich die Moleküle flach auf dem Substrat anordnen. Trotz der Se-Passivierung konnte eine starke Wechselwirkung an der Grenzfläche der Schicht mit dem Substrat durch Photoemissionsmessungen gefunden werden. RAS-Messungen geben Aufschluß über die verschiedenen Oberflächenstrukturen.