Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 41: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 41.2: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 11:15–11:30, H2

Untersuchung von Grenzflächeneigenschaften mit Reflexions-Anisotropie -Spektroskopie — •M. Gensch, K. Haberland, C. Meyne, T. Zettler, U. W. Pohl und W. Richter — TU Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36 , D- 10623 Berlin

Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) wird vornehmlich zur in-situ Charakterisierung von Halbleiter-Oberflächen in Epitaxie - Reaktoren und unter UHV Bedingungen verwendet. Die ausschließliche Oberflächensensitivität ist dabei nur bei isotropem Halbleitervolumen gegeben. Bei der Auswertung von RAS - Spektren an Mehrschichtsystemen sind Beiträge von Anisotropien aller auftretenden Grenzflächen und deren Modifikationen durch Fabry Perot Oszillationen zu berücksichtigen. Durch RAS - Messungen für verschiedene Schichtdicken können die Beiträge der einzelnen Grenzflächen bestimmt werden. Wir untersuchten neben verschiedenen II - VI Grenzflächen auch AlAs/GaAs Heterostrukturen mit zwei besonders ausgeprägten, energetisch lokalisierten Grenzflächensignaturen in der Nähe der GaAs kritischen Punkte E1 und E2. Dazu wurden Real- und Imaginärteil der RAS - Spektren für verschiedene Schichtdicken gemessen. Die Konsistenz von Realteil und Imaginärteil bezüglich der Kramers Kronig Relation diente dabei der Minimierung systematischer Fehler.