Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 41: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 41.4: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 11:45–12:00, H2

Über die Wechselwirkung von Silber mit der Schwefel-modifizierten InP(001)-Oberfläche — •R.K. Gebhardt, A.B. Preobrashenski und T. Chassé — Wilhelm-Ostwald-Institut für Physikal. und Theor. Chemie, Universität Leipzig

Die Chalkogenpassivierung der InP(001)-Oberfläche ist von großem technologischen Interesse. Die ex situ Behandlung mit (NH₄)₂S-Lösung mit nachfolgendem Tempern im UHV auf ca. 360^∘C läßt eine Schwefel-induzierte (2×1)-Überstruktur entstehen. Die Formierung der Grenzfläche mit Silber wurde mittels Photoemission (BESSY, TGM 3) untersucht, um sowohl die Grenzflächenreaktion, das Wachstumsverhalten von Silber als auch den Einfluß auf die elektronischen Eigenschaften zu erfassen. Es zeigte sich, daß diese Schwefelmodifizierung eine Reaktion zwischen In und Ag nicht verhindern kann und kaum einen nennenswerten Einfluß auf den Wachstumsmodus hat. Das Ferminiveau der (2×1)-Überstruktur ist gegenüber der Pinning-Position der (2×4)-rekonstruierten Oberfläche um 0.2-0.3eV in Richtung Leitungsbandminimum verschoben. Die Entwicklung des Ferminiveaus infolge der Silberbelegung zeigt deutliche Unterschiede zur direkten Grenzfläche Ag/InP(001). Diese werden im Vergleich mit den H₂S- und Arsen-modifizierten Grenzflächen diskutiert.