Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 41: Grenz- und Oberfl
ächen II

HL 41.5: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 12:00–12:15, H2

Präparation und Charakterisierung von InAs(100)-Oberflächen mit STM, AFM und XPS/UPS — •W. Naumann, M. Liebmann, M. Schäfer, T. Wiegner und R. Anton — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, 20355 Hamburg

Eine wesentliche Rolle bei der Herstellung von Halbleiter-Supraleiter Kontakten aus Niob und InAs, die auf Grund des Proximity-Effektes der Supraleitung von besonderem technischen Interesse sind, spielt die Beschaffenheit der InAs(100)-Oberfläche vor dem Bedampfen mit Niob. An zuvor naßchemisch geätzten und UV-Ozon oxidierten InAs-Wafern wurde in einem UHV-Verbundsystem von MBE/RHEED, XPS/UPS und STM das Desorptionsverhalten der Oxidverbindungen in-situ untersucht. Ex-situ wurden die Proben mit AFM, TEM und REM betrachtet. Wesentlich zur Herstellung glatter, kontaminationsfreier Oberflächen ist der Temperaturverlauf während der Desorption und die erreichte Endtemperatur. Untersucht wurde die chemische Zusammensetzung sowie die Topographie und Stöchiometrie der Oberflächen.

Alternativ wurde die Präparation von InAs(100)-Oberflächen unbehandelter Rohwafer mittels ECR-Ionenstrahlätzens in Hinblick auf geeignete Sputterparameter untersucht. Betrachtet wurde die chemische und topographische Struktur der Oberflächen in Abhängigkeit von der Ionenenergie und Sputterzeit.