HL 41: Grenz- und Oberfl
ächen II
Freitag, 26. März 1999, 11:00–12:30, H2
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11:00 |
HL 41.1 |
Röntgenabsorptions-, Photoemissions- und Reflexionsanisotropiemessungen an PTCDA-Schichten auf Se-passivierten GaAs (100)-Substraten — •S. Park, T. Querner, M. Schumann, T.U. Kampen und D.R.T. Zahn
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11:15 |
HL 41.2 |
Untersuchung von Grenzflächeneigenschaften mit Reflexions-Anisotropie -Spektroskopie — •M. Gensch, K. Haberland, C. Meyne, T. Zettler, U. W. Pohl und W. Richter
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11:30 |
HL 41.3 |
Oberflächenbandstruktur von (2x4)- und (2x1)- rekonstruiertem InP(001) — •A.M. Frisch, P. Vogt, K. Knorr, T. Hannappel, S. Visbeck, W.G. Schmidt, N. Esser und W. Richter
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11:45 |
HL 41.4 |
Über die Wechselwirkung von Silber mit der Schwefel-modifizierten InP(001)-Oberfläche — •R.K. Gebhardt, A.B. Preobrashenski und T. Chassé
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12:00 |
HL 41.5 |
Präparation und Charakterisierung von InAs(100)-Oberflächen mit STM, AFM und XPS/UPS — •W. Naumann, M. Liebmann, M. Schäfer, T. Wiegner und R. Anton
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12:15 |
HL 41.6 |
Elektronische Eigenschaften von III-V Halbleiteroberflächen mit Punkt- und Liniendefekten — •G. Schwarz, J. Neugebauer und M. Scheffler
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