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HL: Halbleiterphysik

HL 43: Optische Eigenschaften II

HL 43.10: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 11:45–12:00, H3

Photolumineszenz-Untersuchungen an modulationsdotierten, T-förmigen Quantendrähten — •S. Sedlmaier, G. Schedelbeck, W. Wegscheider, M. Bichler und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, Techn. Universität München, D-85748 Garching

Modulationsdotierte Quantendrähte werden im Materialsystem GaAs/AlGaAs durch Überwachsen von Spaltflächen (Cleaved edge overgrowth) hergestellt und mit Photolumineszenz-Messungen untersucht. T-förmige Quantendrähte entstehen dabei an der Kreuzung zweier Quantentöpfe. Die Linienformen der Photolumineszenz (PL) von intrinsischen und n-modulationsdotierten, T-förmigen Quantendrähten unterscheiden sich deutlich. In den modulationsdotierten, T-förmigen Quantendrähten wird die Ladungsträgerdichte durch eine Änderung des Abstandes der Silizium-Dotierschicht von den Quantendrähten oder eine Gate-Spannung gesteuert. Der Einfluß der Variation der Ladungsträgerdichte auf die PL-Linienform wird untersucht, insbesondere um die Fermi-Energie und eine mögliche Bandlückenrenormalisierung in den T-förmigen Quantendrähten abzuschätzen. Die Auswirkungen der 1D-Zustandsdichte auf die PL-Linienform wird diskutiert.