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HL: Halbleiterphysik

HL 43: Optische Eigenschaften II

HL 43.2: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 09:45–10:00, H3

Elektronische Bandstruktur und optische Eigenschaften von Berylliumchalkogeniden zwischen 2.5 und 25 eV — •K. Wilmers^1,2, T. Wethkamp^1,2, C. Cobet², N. Esser², W. Richter², V. Wagner³, A. Fleszar³, A. Waag³, H. Lugauer³, F. Fischer³, T. Gerhard³, M. Keim³ und M. Cardona¹ — ¹Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 70569 Stuttgart — ²Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10629 Berlin — ³Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg

Berylliumchalkogenide stellen als Wide-Bandgap Halbleiter ein vielversprechendes, neues Materialssystem zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente für den grünen bis blauen Spektralbereich dar. Allerdings existieren kaum Daten zu den optischen Eigenschaften und der elektronischen Bandstruktur dieser II-VI Halbleiter. Diese Lücke schließt die dem Beitrag zugrundeliegende Arbeit mit ellipsometrischen Messungen an BeTe, Be_xZn_1−xSe und Be_xMg_1−xSe. Dazu setzten wir das VUV-Ellisometer mit Synchrotronstrahlung im Spektralbereich von 2.5 bis 25 eV ein. Die gemessenen dielektrischen Funktionen der mit MBE auf GaAs(001) gewachsenen Schichten zeigen Strukturen im gesamten untersuchten Spektralbereich. Durch den Vergleich mit GW-Rechnungen der elektronischen Bandstruktur der binären Komponenten und der Untersuchung der Kompositionsabhängigkeit der ternären Komponenten werden die kritischen Punkte Interbandanregungen an spezifischen Punkten der Brillouinzone zugeordnet. Außer höheren Interbandübergängen werden auch die Bandlückenenergien bestimmt.