Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: Optische Eigenschaften II

HL 43.3: Talk

Friday, March 26, 1999, 10:00–10:15, H3

Elektrooptische Untersuchungen höherer Bandübergänge in quaternären III-V Halbleitern aus InGaAsP — •C. Reh und G. Weiser — Fachbereich Physik und Wiss. Zentrum für Materialwissenschaften der Philipps-Universität Marburg

Die kritischen Punkte der Zustandsdichte von In_1−xGa_xAs_yP_1−y Volumenhalbleitern oberhalb des fundamentalen Gaps wurden mittels Reflexions- (1-10eV) und Elektroreflexionsspektroskopie (1-5.5eV) bei tiefen Temperaturen untersucht und über eine Kramers-Kronig Transformation analysiert. Ausgewertet wurden die Verschiebungen der Energielücken und die Spinbahnaufspaltungen am Γ (E₀, E′₀, Δ₀, Δ′₀)-, am L (E₁, Δ₁)- und am X (E₂)-Punkt über das gesamte Mischungssystem hinweg. An den verschiedenen Energielücken werden deutlich unterschiedliche Bowingparameter erhalten. Am L-Punkt (E₁, E₁+Δ₁) wurde die Linienform des Elektroreflexionsspektrums quantitativ mit dem Franz-Keldysh Effekt verglichen, um Information über die Art der Singularität (M₀ oder M₁) und die Streurate zu erhalten. Während bei InP am L-Punkt eine M₀ Singularität vorliegt, wird bei den anderen Legierungen ein Sattelpunkt (M₁) beobachtet.