Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 43: Optische Eigenschaften II

HL 43.9: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 11:30–11:45, H3

Modulationsspektroskopische Untersuchungen an InGaAsP/GaAs-Doppel-Quantum-Well Laserdiodenstrukturen — •A. Golombek¹, R. Goldhahn¹, G. Gobsch¹, H. Wenzel² und A. Knauer² — ¹Institut für Physik, TU Ilmenau, Postfach 100565, D-98684 Ilmenau — ²Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Rudower Chaussee 5, D-12489 Berlin

Im vorliegenden Beitrag werden Ergebnisse optischer Untersuchungen mittels Modulationsspektroskopie (Elektroreflexion), Photolumineszenz und Photostrom an InGaAsP/GaAs-Doppel-Quantum-Wells (DQWs) vorgestellt, wie sie in Laserdioden zur Anwendung kommen. Mit Hilfe der Franz-Keldysh-Oszillationen in der Wellenleiterschicht wird die Feldstärke im DQW in Abhängigkeit von der eingestellten Gatespannung ermittelt. Dies wiederum erlaubt die Bestimmung der Feldstärkeabhängigkeit der optischen Übergänge im DQW und somit den direkten Vergleich mit Ergebnissen aus kp-Rechnungen. Die Resultate werden für zwei DQW-Strukturen im Hinblick auf den Einfluß von Zn-Diffusion und Ladungen an Heterogrenzen diskutiert. Darüber hinaus demonstrieren die Ergebnisse die Stärke der Modulationsspektroskopie in Kombination mit anderen Methoden zur Bestimmung bauelementerelevanter Kenngrößen von Laserdiodenschichtsystemen.