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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Photovoltaik III
HL 44.3: Vortrag
Freitag, 26. März 1999, 12:45–13:00, H3
Der strukturierte p/n-Übergang in der η -Solarzelle — •Ingeborg Kaiser, Constance Rost, Jesco Möller, Rolf Könenkamp, Christian-Herbert Fischer und Martha Ch. Lux-Steiner — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin
Die η -Solarzelle besitzt einen extrem dünnen Absorber ( eta - extremely thin absorber), eingebettet zwischen einem transparenten n-Halbleiter und einem transparenten p-Halbleiter. Dadurch kann die Rekombination im Absorber reduziert werden, da die Diffusionslänge der Ladungsträger größer als die Dicke des Absorbers ist. Um genügend Absorption zu erzielen, mußein mehrfacher Durchtritt des Lichtes durch den Absorber gewährleistet sein. Dies wird realisiert durch die Verwendung einer porösen, n-leitenden TiO2-Schicht, die mit dem dünnen Absorber belegt wird.
Für das Füllen dieser porösen Struktur mit einem transparenten p-Halbleiter wurde CuI und CuSCN verwendet, da sich beide Materialien aus Lösung abscheiden lassen. Die Leitfähigkeit der CuI-Filme bzw. der CuSCN-Filme beträgt 2.6(Ωcm)−1 bzw. 10−3(Ωcm)−1. Möglichkeiten der Dotierung dieser Filme wurden untersucht. Weiterhin berichten wir über den Ladungstransfer am strukturierten p/n-Übergang in Abhängigkeit des Wachstums der transparenten p-Halbleiter sowie der zugrundeliegenden TiO2-Struktur. Erste Ergebnisse für eine η-Solarzelle mit CuInS2 als Absorber, TiO2 als n-Halbleiter und CuI bzw. CuSCN als p-Halbleiter werden vorgestellt.