Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 44: Photovoltaik III
HL 44.4: Talk
Friday, March 26, 1999, 13:00–13:15, H3
Transport in ZnO/c-Si Hetero-Übergängen — •M. Poschenrieder1, U. Meier2, K. Kliefoth1, W. Fuhs1 und C. Pettenkofer2 — 1Hahn-Meitner-Institut, Abt. Photovoltaik, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin — 2Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG, Glienicker Str. 100, 14109 Berlin
Der Hetero-Übergang hat bei den Fortschritten in der
Photovoltaik der letzten Jahre einen maßgeblichen Beitrag
geliefert. Als interessantes Modellsystem untersuchen wir den
n-ZnO/c-Si Hetero-Übergang. Von grundlegender Bedeutung für
dieses System ist der Stromtransport über die Grenzfläche,
der von der Bandanpassung und von Rekombinationsprozessen an
der Grenzfläche bestimmt wird. ZnO- und ZnO:Al-Schichten
wurden auf p-Si ((111), 3-10 Ω cm) durch DC-Magnetron-
Sputtern und durch UHV-MOCVD präpariert. Die Untersuchungen
erfolgten mittels C-V- und I-V-Messungen im Temperaturbereich
80 - 300 K. Aus den Meßdaten schliessen wir auf
thermionische Emission über eine Schottkybarriere. Dabei zeigt
die Mehrzahl der sputter-präparierten Proben deutliche
Abhängigkeiten der Barrierenhöhe und des Idealitätsfaktors
von der Temperatur. Dieses Verhalten läßt sich durch
laterale Inhomogenitäten am Interface erklären [1,2].
Demgegenüber weisen die mittels UHV-MOCVD präparierten
Strukturen höhere und lateral homogene Barrieren auf.
[1] J.H.Werner and H.H.Güttler, J.Appl.Phys. 69, 1522 (1991)
[2] R.T.Tung, Phys.Rev.B 45, 13509 (1992)