Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 45: Störstellen
HL 45.4: Talk
Friday, March 26, 1999, 10:15–10:30, H4
Einbau und Komplexbildung von Ag Atomen in CdTe — •V. Ostheimer1, A. Burchard2, M. Deicher2, T. Filz1, J. Hamann1, S. Lany1, H. Wolf1, Th. Wichert1 und ISOLDE-Collaboration3 — 1Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — 2Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78434 Konstanz — 3PPE- ISOLDE, CERN, CH-1211 Genf 23
Ag Atome können in CdTe als Akzeptoren oder als Donatoren eingebaut werden
je nachdem,
ob sie substitutionelle oder interstitielle Gitterplätze einnehmen. Der
Einbau von Ag und
dessen Wechselwirkung mit Defekten wurde nach Implantation von 111Ag
in CdTe mit der
Methode der gestörten γγ-Winkelkorrelation (PAC) untersucht.
Neben undotierten CdTe
Kristallen wurden Kristalle untersucht, die mit den Donatoren Br oder In
sowie mit dem Akzeptor Sb
dotiert worden waren. Die PAC Messungen ergeben, dass sich in
undotiertem CdTe nach Tempern unter Cd-Atmossphäre ein Defektkomplex
bildet, der auf
die Paarbildung von 111Ag mit einer Te-Leerstelle VTe
zurückgeführt wird. In CdTe:Br und
CdTe:In bilden sich nach Tempern jeweils spezifische 111Ag-Defekt
Komplexe, die
111AgCd-BrTe bzw. 111AgCd-InCd Paaren
zugeordnet werden. Dagegen gibt es in
CdTe:Sb keine Hinweise für die Bildung von Agi-SbTe
Donator-Akzeptor Paaren;
vielmehr wird der gleiche
Defektkomplex wie in undotiertem CdTe beobachtet. In CdTe Kristallen, die
zusätzlich mit
stabilem Ag dotiert worden waren ([Ag] > 1019 cm−3), werden
neue Defektkomplexe
beobachtet, für die als Ursache die Bildung von Agi-AgCd Paaren
diskutiert wird.
Gefördert durch das BMBF, Projektnummer WI04SAA.