Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 45: Störstellen

HL 45.6: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 10:45–11:00, H4

Identifizierung der Photolumineszenz von Akzeptor-Niveaus in II-VI Halbleitern durch Verwendung von radioaktiven Isotopen — •T. Filz¹, J. Hamann¹, A. Burchard², M. Deicher², V. Ostheimer¹, C. Schmitz¹, F. Strasser¹, H. Wolf¹, Th. Wichert¹ und ISOLDE-Collaboration³ — ¹Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — ²Fakultät für Physik, Universität Konstanz, D-78434 Konstanz — ³PPE- ISOLDE, CERN, CH-1211 Genf 23

CdTe-Einkristalle wurden mit radioaktivem ¹⁹⁷Hg implantiert. Da Hg isoelektronisch zu Cd ist, wird es beim anschließenden Tempern bei 750 K vorwiegend auf Cd-Plätzen eingebaut. ¹⁹⁷Hg zerfällt mit einer Halbwertszeit von 64.1 h zu ¹⁹⁷Au, wodurch in kontrollierter Weise Au-Akzeptoren erzeugt werden. In anschließenden Photolumineszenz-Experimenten wurde ein Donator-Akzeptor-Übergang bei 1.295 eV beobachtet, dessen Intensität mit einer Halbwertszeit von (70 ± 7) h zunimmt und folglich durch Au-Akzeptoren verursacht wird. Außerdem wurde eine Linie identifiziert, die durch die Rekombination von an Au-Akzeptoren gebundenen Exzitonen verursacht wird. Die bereits in [1] erfolgten Zuordnungen konnten damit bestätigt werden. Daneben wurde quantitativ gezeigt, daß die Wahrscheinlichkeit für die Rekombination von Exzitonen mit zunehmender Dotierung abnimmt. In ZnTe und in ZnSe wurden ebenfalls Au-Akzeptoren durch Implantation von ¹⁹⁷Hg erzeugt. Als weitere Akzeptoren wurden Ag und Sb jeweils in CdTe, ZnTe und ZnSe unter Verwendung der Isotope ¹¹¹Ag/¹¹¹Cd und ¹²¹Te/¹²¹Sb untersucht.

[1] E. Molva, J.M. Francou, J.L. Pautrat, K. Saminadayar, Le Si Dang; J. Appl. Phys. 56, 2241 (1984) Gefördert durch das BMBF, Projektnummer WI04SAA.