Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 45: Störstellen

HL 45.7: Talk

Friday, March 26, 1999, 11:00–11:15, H4

Relaxationseigenschaften des Donators Cd⁺ in Silizium — •Alexander Näser¹, Wolfgang Gehlhoff¹ und Harald Overhof² — ¹Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Universität-GH Paderborn, Fachbereich Physik, AG Theoretische Physik, D-33098 Paderborn

Das als isolierte Donatorstörstelle Cd⁺ identifizierte Zentrum Cd(1) wurde sowohl nach Diffusion als auch nach Implantation mit identischen g-Werten und Hyperfeinkonstanten sowie Winkelabhängigkeiten beobachtet [1]. Jedoch erwies sich das über die Sättigung untersuchte Relaxationsverhalten des EPR-Signals als abhängig von der Dotierungsmethode. Die EPR-Messungen zeigen, daß über die Untersuchung des Relaxationsverhaltens Unterschiede zwischen ansonsten im Rahmen der Meßgenauigkeit nicht unterscheidbaren Zentren nachgewiesen werden können. Für die beobachteten Verringerungen der Relaxationszeiten T₁ und T₂ bei Implantation des Cd können geänderte Mechanismen der Spin-Gitter Kopplung und/oder eine Vergrößerung der Spin-Spin Wechselwirkung verantwortlich sein. Die Anteile beider Mechanismen werden diskutiert.

[1] A. Näser, W. Gehlhoff, H. Overhof, R.A. Yankov, phys. stat. sol. (b) 210, (1998), in print