Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 45: Störstellen

HL 45.9: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 11:30–11:45, H4

DLTS an SiGe-Legierungen dotiert mit Zn und Be — •S. Voß¹, H. Bracht¹, N.A. Stolwijk¹, P. Kringhøj² und A. Nylandsted Larsen² — ¹Institut für Metallforschung, Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D-48149 Münster — ²Institute of Physics and Astronomy, University of Aarhus, DK–8000 Aarhus C, Denmark

Systematische Untersuchungen der elektronischen Eigenschaften von Fremdelementen in Halbleiter-Legierungssystemen wurden bisher vor allem an III-V–Verbindungen durchgeführt. Fortschritte bei der Herstellung von SiGe-Volumenkristallen und -Epitaxieschichten ermöglichen es, das Verhalten von Fremdatomen ebenfalls in diesem Gruppe IV–Legierungssystem zu studieren. Ausgehend von reinem Si wurden verschiedene, zunehmend Ge-reichere SiGe Proben mit Zn oder Be diffundiert und mittels „deep level transient spectroscopy“ analysiert. Zn und Be besetzen in den reinen Elementen Si und Ge überwiegend substitutionelle Gitterplätze und zeigen jeweils zwei Akzeptorniveaus, welche als tief in Si und als flach in Ge gekennzeichnet werden können. Die gemessenen, nicht exponentiellen Kapazitätstransienten, die zu einer Verbreiterung der Peaks in den DLTS-Spektren führen, lassen sich mit statistischen Fluktuationen des Ge-Gehalts in der Umgebung der substitutionell gelösten Fremdatome erklären. Die jeweiligen Energieniveaus zeigen in Abhängigkeit von der Legierungszusammensetzung charakteristische Trends, welche erste Hinweise über die Natur der Defekte im SiGe–Mischkristall liefern.