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09:30 |
HL 45.1 |
Vergleich verschiedener Verfahren zur Berücksichtigung von Gitterverschiebungen in der KKR-Greenschen Funktionsmethode — •A. Settels, Ch. Zecha, N. Papanikolaou, T. Korhonen, R. Zeller, H. Ebert und P.H. Dederichs
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09:45 |
HL 45.2 |
Diffusion and passivating effect of ion-implanted hydrogen in p-type silicon carbide — •Norbert Achtziger, Christian Hülsen, Wolfgang Witthuhn, M.K. Linnarsson, M. Janson, and B.G. Svensson
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10:00 |
HL 45.3 |
Einbau von Gruppe I Elementen in CdTe — •S. Lany, T. Filz, J. Hamann, V. Ostheimer, H. Wolf und Th. Wichert
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10:15 |
HL 45.4 |
Einbau und Komplexbildung von Ag Atomen in CdTe — •V. Ostheimer, A. Burchard, M. Deicher, T. Filz, J. Hamann, S. Lany, H. Wolf, Th. Wichert und ISOLDE-Collaboration
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10:30 |
HL 45.5 |
Optische Eigenschaften von Wasserstoff-korrelierten Defekten in CdTe — •J. Hamann, D. Blaß, T. Filz, W. Ossau, V. Ostheimer, C. Schmitz, H. Wolf, L. Worschech und Th. Wichert
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10:45 |
HL 45.6 |
Identifizierung der Photolumineszenz von Akzeptor-Niveaus in II-VI Halbleitern durch Verwendung von radioaktiven Isotopen — •T. Filz, J. Hamann, A. Burchard, M. Deicher, V. Ostheimer, C. Schmitz, F. Strasser, H. Wolf, Th. Wichert und ISOLDE-Collaboration
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11:00 |
HL 45.7 |
Relaxationseigenschaften des Donators Cd+ in Silizium — •Alexander Näser, Wolfgang Gehlhoff und Harald Overhof
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11:15 |
HL 45.8 |
Ein neues paramagnetisches Myonzentrum in kristallinem Silizium — •M. Schefzik, R. Scheuermann, L. Schimmele, A. Seeger, O. Kormann, J. Major und A. Röck
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11:30 |
HL 45.9 |
DLTS an SiGe-Legierungen dotiert mit Zn und Be — •S. Voß, H. Bracht, N.A. Stolwijk, P. Kringhøj und A. Nylandsted Larsen
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11:45 |
HL 45.10 |
Jahn-Teller-Effekt des As-VSi-Komplexes: Eine ab initio-Studie — •A. Mattausch, M. Bockstedte und O. Pankratov
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12:00 |
HL 45.11 |
Einfluß von Gradientenkorrekturen zur LSDA auf die Hyperfeinfelder von 3d-Übergangsmetallstörstellen in GaN — •Uwe Gerstmann und Harald Overhof
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12:15 |
HL 45.12 |
Leitungselektronen in β-Ga2O3: ESR- und Doppelresonanz Experimente — •G. Denninger, L. Binet und D. Gourier
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12:30 |
HL 45.13 |
Eine neue Methode zur Charakterisierung tiefer Störstellen in LT-GaAs: dünne Schichten aus LT-GaAs in p-i-n Dioden — •K.-F. Pfeiffer, S. Tautz, P. Kiesel, W. Geißelbrecht und G.H. Döhler
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