Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 46: Postdeadline I
HL 46.1: Vortrag
Freitag, 26. März 1999, 13:30–13:45, H1
Hoch-ortsaufgelöste Kathodolumineszenzuntersuchungen an
ZnCdSe/ZnSe-Quantenfäden auf strukturierten Substraten — •Till Riemann1, F. Bertram1, D. Rudloff1, J. Christen1, W. Heiß2, G. Prechtl2, D. Stifter2, G. Springholz2 und J. Liu3 — 1Inst. f. Exp. Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg — 2Inst. f. Halbleiter- und Festkörperphysik, Universität Linz — 32. Physikalisches Institut, RWTH Aachen
Auf nichtplanaren GaAs-Substraten wurden durch selektives
in situ Wachstum Systeme von ZnCdSe/ZnSe-Quantenfäden
mit Submikrometer-Abstand gewachsen. Dabei wurde die Oberfläche
von GaAs(001)-Substraten durch holographische Lithographie und
anschließendes naßchemisches Ätzen in ein laterales Gitter
von Stegen und Gräben entlang [110] strukturiert [1].
Selektives MBE-Wachstum der ZnSe- sowie ZnCdSe-Schichten auf
den strukturierten Substraten führt im Lumineszenzspektrum
zur energetischen Aufspaltung der ZnCdSe-Emission um bis zu 30meV.
Hoch-ortsaufgelöste Kathodolumineszenz (KL) gestattet die direkte
Bestimmung der räumlich periodischen Modulation der
ZnCdSe-Übergangsenergien. Die Ausbildung der Quantenfäden tritt
dabei in Form von streng parallel ausgerichteten Bereichen mit
einer Emissionsenergie von 2.58eV in Erscheinung. Mittels
zeitaufgelöster KL wird die Einfangs-, Relaxations- und
Rekombinationskinetik untersucht. Der Einfluß unterschiedlicher
Strukturierungsformen der GaAs-Substrate auf die Ausbildung der
Quantenfäden wird diskutiert.
[1] W. Heiß et al., Appl. Phys. Lett. 72(5), 575, (1998)