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HL: Halbleiterphysik

HL 46: Postdeadline I

HL 46.1: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 13:30–13:45, H1

Hoch-ortsaufgelöste Kathodolumineszenzuntersuchungen an
ZnCdSe/ZnSe-Quantenfäden auf strukturierten Substraten — •Till Riemann¹, F. Bertram¹, D. Rudloff¹, J. Christen¹, W. Heiß², G. Prechtl², D. Stifter², G. Springholz² und J. Liu³ — ¹Inst. f. Exp. Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg — ²Inst. f. Halbleiter- und Festkörperphysik, Universität Linz — ³2. Physikalisches Institut, RWTH Aachen

Auf nichtplanaren GaAs-Substraten wurden durch selektives

in situ Wachstum Systeme von ZnCdSe/ZnSe-Quantenfäden

mit Submikrometer-Abstand gewachsen. Dabei wurde die Oberfläche

von GaAs(001)-Substraten durch holographische Lithographie und

anschließendes naßchemisches Ätzen in ein laterales Gitter

von Stegen und Gräben entlang [110] strukturiert [1].

Selektives MBE-Wachstum der ZnSe- sowie ZnCdSe-Schichten auf

den strukturierten Substraten führt im Lumineszenzspektrum

zur energetischen Aufspaltung der ZnCdSe-Emission um bis zu 30meV.

Hoch-ortsaufgelöste Kathodolumineszenz (KL) gestattet die direkte

Bestimmung der räumlich periodischen Modulation der

ZnCdSe-Übergangsenergien. Die Ausbildung der Quantenfäden tritt

dabei in Form von streng parallel ausgerichteten Bereichen mit

einer Emissionsenergie von 2.58eV in Erscheinung. Mittels

zeitaufgelöster KL wird die Einfangs-, Relaxations- und

Rekombinationskinetik untersucht. Der Einfluß unterschiedlicher

Strukturierungsformen der GaAs-Substrate auf die Ausbildung der

Quantenfäden wird diskutiert.

[1] W. Heiß et al., Appl. Phys. Lett. 72(5), 575, (1998)