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HL: Halbleiterphysik
HL 46: Postdeadline I
HL 46.2: Vortrag
Freitag, 26. März 1999, 13:45–14:00, H1
Kurzwellige Laser auf der Basis von selbstorganisierten InP/GaInP-Quantenpunkten — •Markus Ost, Jörg Porsche, Thomas Riedl, Andreas Hangleiter und Ferdinand Scholz — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart
Bei der Abscheidung von InP auf GaInP mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie entstehen im Stranski-Krastanow-Wachstumsmodus kohärente Quantenpunkte. Diese Quantenpunkte haben eine typische Größe von 4nm bei einer Inseldichte von ca. 2x1010 cm−2. Weiter zeigen diese Quantenpunkte eine Lumineszenz bei 1.72 eV mit einer Halbwertsbreite von 25 meV (4.2K). Die beobachtete Emissionswellenlänge im roten Spektralbereich macht die InP-Quantenpunkte somit als aktives Medium für Laser im Sichtbaren interessant.
Der erste Schritt in Richtung eines Quantenpunktlasers war die Einbettung einer Lage von Quantenpunkten in eine undotierte Laserstruktur, bestehend aus einem GaInP-Wellenleiter und einer AlInP-Mantelschicht. Optisches Pumpen dieser Struktur mit einer Anregungsleistung von 17 kW/cm2 bei T=230K bewirkt eine Lasertätigkeit der Quantenpunkte mit einer Emissionswellenlänge von 700nm. Weiterhin wurde die Epitaxie der Wellenleiter- und dotierter Mantelschichten hinsichtlich der Wachstumsbedigungen, die durch die Quantenpunkte vorgegeben sind, optimiert.