Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 47: Postdeadline II

HL 47.2: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 13:45–14:00, H2

Ortsaufgelöste Bestimmung der tetragonalen Verzerrung von epitaktischen GaAs-Schichten, abgeschieden bei tiefen Temperaturen — •C. Schür¹, M. Leicht¹, T. Marek¹, H. P. Strunk¹, S. Tautz², P. Kiesel², W. Geißelbrecht² und G. H. Döhler² — ¹Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Universität Erlangen-Nürnberg, Cauerstr. 6, D-91058 Erlangen — ²Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, D-91058 Erlangen

Bei tiefen Temperaturen abgeschiedene GaAs-Schichten (low temperature grown GaAs, LT-GaAs) weisen eine Vielzahl elektrischer und optischer Eigenschaften auf, die sie für technische Anwendungen z.B. in schnellen optoelektronischen Bauelementen auszeichnen. Eine aktuelle Fragestellung ist die ortsaufgelöste Bestimmung der Gitterparameter der epitaktischen Schichten. Die Kenntnis der Gitterparameter erlaubt u.a. Rückschlüsse auf die lokale Stöchiometrie der wie gewachsenen (as-grown) Schichten.

Mit Hilfe der konvergenten Elektronenbeugung (convergent beam electron diffraction, CBED) untersuchen wir die tetragonale Verzerrung von wie gewachsenen LT-GaAs-Schichten mit einer räumlichen Auflösung von typischerweise 10–70 nm. Mit dieser Methode erreichen wir eine Empfindlichkeit gegenüber tetragonalen Verzerrungen von mindestens Δ c/c=4·10⁻⁴. Wir vergleichen experimentell gewonnene Beugungsbilder mit den Ergebnissen dynamischer Computersimulationen.