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10:30 |
HL 4.1 |
Dichteabhängigkeit der Elektronenbeweglichkeit und ihre Anisotropie im Fall eines parallelleitenden Kanals in einer selektiv dotierten AlxGa1−xAs/GaAs-Heterostruktur — •D. Reuter, M. Schneider und A.D. Wieck
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10:45 |
HL 4.2 |
X-ray structural investigation of strained InAs-films on GaAs (001) — •Kai Zhang, A. Foede, J. Falta, Ch. Heyn, I. Lohse, G. Materlik, and W. Hansen
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11:00 |
HL 4.3 |
Einstellung der Schwellenspannung von modulationsdotierten GaAs/AlGaAs-Feldeffekttransistoren durch Ätzen — •Dirk Kähler, C. Metzner, U. Kunze, C. Wölk und R. Deufel
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11:15 |
HL 4.4 |
Cyclotron Resonance in Disordered Quasi Two-dimensional Electron Systems in GaAs/AlGaAs-Heterostructures in High Magnetic Fields — •R. Sellin, M. Widmann, U. Merkt, G. Martinez, and K. Eberl
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11:30 |
HL 4.5 |
Anticrossing von Energieniveaus in InGaAs doppel-quantum-well Strukturen — •H.S. Fresser, F.E. Prins, D.A. Wharam, D.P. Kern, J. Böttcher und H. Künzel
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11:45 |
HL 4.6 |
Temperaturabhängigkeit der elektronischen Zustände einer InAs/GaAs-Monolagenstruktur aus Photolumineszenzmessungen — •A.R. Goñi, A. Cantarero, S. Reich, C. Thomsen und P.V. Santos
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12:00 |
HL 4.7 |
Josephson-Mikrowellenquelle in mesoskopischen Systemen — •A.W. Holleitner, F. Simmel, B. Irmer, R.H. Blick und J.P. Kotthaus
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12:15 |
HL 4.8 |
Terahertz-Emission aus elektrisch angeregten parabolischen Quantentöpfen — •J. Ulrich, R. Zobl, K. Unterrainer, G. Strasser, E. Gornik, K. D. Maranowski und A. C. Gossard
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12:30 |
HL 4.9 |
Ein GaAs/AlAs-Übergitter-Detektor und Autokorrelator für THz-Strahlung — •S. Winnerl, S. Brandl, E. Schomburg, K. Hofbeck, K.F. Renk, A.F.G. van der Meer, D.G. Pavel’ev, Yu. Koschurinov, A.A. Ignatov, B. Melzer, V. Ustinov, S. Ivanov, and P.S. Kop’ev
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12:45 |
HL 4.10 |
Optisch gesteuerter THz Modulator — •I.H. Libon, M. Hempel, M. Koch, P. Dawson, N.E. Heck er und J. Feldmann
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13:00 |
HL 4.11 |
Heteroepitaktische CoSi2/CaF2 Strukturen auf Si(111) — •B.H. Müller und K.R. Hofmann
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13:15 |
HL 4.12 |
Einfluß der Morphologie von CaF2 Pufferschichten auf die elektrischen Eigenschaften des Systems Au/CaF2/Si — •Roland Würz, Manfred Schmidt, Klaus Kliefoth, Andreas Schöpke, Gerd-Uwe Reinsperger und Walther Fuhs
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