Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 5: Grenz- und Oberfl
ächen I
HL 5.10: Talk
Monday, March 22, 1999, 12:45–13:00, H4
Elektronische Struktur von Si(111):Sn-(√3 × √3)R30∘ — •R. Spettmann1, K. Schroeder2, S. Blügel2 und P. Entel1 — 1Theoretische Tieftemperaturphysik, Gerhard Mercator Universität – Gesamthochschule – Duisburg, D-47048 Duisburg — 2Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
Unter Verwendung einer auf der Dichtefunktionaltheorie in der lokalen Dichtenäherung basierenden ab initio Pseudopotentialmethode mit nichtlokalen, normerhaltenden Pseudopotentialen in Verbindung mit Molekulardynamik haben wir Systeme von 1/3 bis 4 Monolagen Sn auf Si(111) Substrat mit (√3 × √3)R30∘ Symmetrie strukturell vollständig relaxiert und dabei die atomare und elektronische Struktur bestimmt.
Wir diskutieren die lokalen Zustandsdichten in der Sn–Schicht, sowie die Entwicklung der Schottky Barrieren in Abhängigkeit von der Sn–Bedeckung und der Anordnung der Atome. Für die 4 ML Sn–Schicht finden wir eine Abweichung von der für dicke Sn–Schichten gemessenen n-Typ Schottky-Barriere (ΦBn = 0.679 eV) von 0.13 eV.