Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Grenz- und Oberfl
ächen I

HL 5.2: Talk

Monday, March 22, 1999, 10:45–11:00, H4

Untersuchung von akustischen Oberflächenwellen auf GaAs mit abbildenden und nichtabbildenden Röntgenbeugungsmethoden — •W. Sauer, M. Streibl, S. Haubrich, T.H. Metzger, J. Peisl, A. Wixforth und J. P. Kotthaus — CeNS und Sektion Physik, Ludwig-Maximilians-Universität München

Mit Interdigitalwandlern werden auf (100) GaAs hochfrequente akustische Oberflächenwellen mit einer Wellenlänge von 3 bzw. 5 µm angeregt. Die resultierende periodische Verzerrung des Kristallgitters läßt sich mit verschiedene Röntgenbeugungsmethoden nachweisen.

Die im Vergleich zur Gitterkonstanten langwellige Verzerrung führt im Beugungsbild zu Seitenmaxima in der nahen Umgebung der Gitterreflexe, die mit hochauflösender Röntgenbeugung für verschiedene Anregungsspannungen der Oberflächenwelle untersucht wurden. Aus der Intensität und Lage der Seitenmaxima wurden die Amplitude und die Wellenlänge der Oberflächenwelle bestimmt.

Mittels Röntgentopographie mit einer gepulsten Röntgenquelle wie der ESRF lassen sich bei stroboskopischer Belichtung neben den strukturellen Eigenschaften der Kristalle, wie Versetzungen und Korngrenzen, die periodischen Gitterverzerrungen der Oberflächenwellen abbilden. Mit dieser Methode der Realraumabbildung von Oberflächenwellen wurde die Abstrahlcharakteristik verschiedener Wandlergeometrien untersucht.