Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 5: Grenz- und Oberfl
ächen I
HL 5.6: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 11:45–12:00, H4
Zum Verständnis der linear-optischen Antwort von Oberflächen — •U. Rossow1, D.E. Aspnes2, K.A. Bell2, M. Ebert2 und L. Mantese2 — 1TU Ilmenau, Inst. f. Physik, Pf. 100565, 98684 Ilmenau — 2NCSU, Phys. Dept., Raleigh, USA
In der Charakterisierung von Oberflächen, ultradünner Schichten und Nanostrukturen werden zunehmend linear-optische Methoden insbesondere spektroskopische Ellipsometrie und Reflectance-Difference (/Anisotropy)-Spectroscopy (RDS/RAS) eingesetzt. Um diese Methoden optimal einsetzen zu können aber auch um ein grundlegenendes Verständnis der optischen Antwort zu erzielen, ist die Kenntnis des Beitrages der Oberflächen wichtig bzw. entscheidend. Ein auf der elektronischen Struktur basierendes Verständnis der gemessenen Spektren ist aber noch nicht erreicht worden. In vielen Fällen finden wir, daß sich die Linienform der gemessenen Spektren von der dielektrischen Funktion des Volumens ableiten läßt. Die Oberfläche modifiziert dann die optische Antwort des Volumens. Verschiedene Effekte wie insbesondere Lokalisierung der angeregten Ladungsträger und Vielteilcheneffekte oder Lokalfeldeffekte scheinen die entscheidenden Mechanismen in diesen Fällen zu sein. Daher sind Berechnungen basierend auf Einteilchen-Anregungen (Tight-Binding, Pseudopotentiale) unzureichend, um dieses Verhalten zu erklären. In anderen Fällen scheinen Oberflächen auch direkt beizutragen und dann kann eine gute Übereinstimmung zwischen (Einteilchen-) Theorie und Experiment erwartet werden.