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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Grenz- und Oberfl
ächen I

HL 5.7: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 12:00–12:15, H4

Ortsaufgelöste Leckstrommessungen an p-Silizium mit elektrochemischen Methoden — •J. Korallus, G. Popkirov, J. Carstensen, J. Bahr und H. Föll — Technische Fakultät, CAU Kiel, Kaiserstr.2, 24143 Kiel

Vorgestellt wird eine Methode, um den Leckstrom eines Silizium-Flußsäure-Kontaktes

ortsaufgelöst und zerstörungsfrei zu messen. Über p-Silizium, das mit flußsäurehaltigem

Elektrolyten bedeckt ist, wird eine Platin-Elektrode in geringem Abstand über die Oberfläche des

Siliziums gescannt. Durch Messen mit kathodischen, potentiostatischen Spannungspulsen konnte

erreicht werden, daß der Einfluß der Wasserstoffbildung auf die Ergebnisse nicht erkennbar

ist. Für das Signal-Untergrund-Verhältnisse konnte Werte um 8 erreicht werden. Stark verdünnte

Elektrolyten und ein sehr kleiner Abstand zur Si-Oberfläche erlauben eine Ortsauflösung von

mindestens 300 µm. Untersuchungen der Si-Oberfläche ergaben, daß während des Scan-

Prozesses keine Degradation der Oberfläche stattgefunden hat. Es konnte gezeigt werden, daß

das Messen des Leckstromes eines Silizium-Flußsäure-Kontaktes mit dem oben beschriebenen

Verfahren ortsaufgelöst möglich ist.