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HL: Halbleiterphysik

HL 5: Grenz- und Oberfl
ächen I

HL 5.9: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 12:30–12:45, H4

Kapazitätspektroskopie an Dotierungsmustern auf Silizium — •F Müller, A.-D. Müller und M. Hietschold — Institut für Physik, TU Chemnitz, 09107 Chemnitz

Mit Hilfe der elektrischen Rasterkraftmikroskopie im dynamischen Nonkontaktmodus werden an Halbleiterstrukturen in verschiedenen Spitze-Probe-Abständen C(U)-Kennlinien aufgenommen und verschieden dotierte Oberflächenbereiche miteinander verglichen. Daraus lassen sich die optimalen Parameter für die Kapazitätsabbildung bestimmen. Desweiteren wird der Einfluß des Kelvin-Regelkreises gezeigt und diskutiert. Erste Versuche zum Nachweis der optischen Anregung von Minoritätsladungsträgern werden demonstriert.