HL 5: Grenz- und Oberfl
ächen I
Montag, 22. März 1999, 10:30–13:30, H4
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10:30 |
HL 5.1 |
Einfluß von akustischen Oberflächenwellen auf die Transporteigenschaften eines zweidimensionalen Elektronengases — •Jens Ebbecke, Martin Blöcker und Franz-Josef Ahlers
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10:45 |
HL 5.2 |
Untersuchung von akustischen Oberflächenwellen auf GaAs mit abbildenden und nichtabbildenden Röntgenbeugungsmethoden — •W. Sauer, M. Streibl, S. Haubrich, T.H. Metzger, J. Peisl, A. Wixforth und J. P. Kotthaus
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11:00 |
HL 5.3 |
Electronic structure of lanthanide silicides grown on Si(111) and Si(001) — •S. Vandré, C. Preinesberger, T. Kalka, and M. Dähne-Prietsch
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11:15 |
HL 5.4 |
SHG-Spektroskopie von oxidspezifischen Interbandanregungen an Si(111)-SiO2-Grenzflächen — •S. Bergfeld und W. Daum
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11:30 |
HL 5.5 |
C2H4 Adsorption auf Ge(100)-(2x1): Ausbildung einer 1D Bandstruktur — •A. Fink und W. Widdra
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11:45 |
HL 5.6 |
Zum Verständnis der linear-optischen Antwort von Oberflächen — •U. Rossow, D.E. Aspnes, K.A. Bell, M. Ebert und L. Mantese
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12:00 |
HL 5.7 |
Ortsaufgelöste Leckstrommessungen an p-Silizium mit elektrochemischen Methoden — •J. Korallus, G. Popkirov, J. Carstensen, J. Bahr und H. Föll
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12:15 |
HL 5.8 |
Ortsaufgelöste Messungen von Oberflächen- und Volumeneigenschaften mit dem Lebensdauer-Meßverfahren ELYMAT — •J. Korallus, J. Carstensen und H. Föll
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12:30 |
HL 5.9 |
Kapazitätspektroskopie an Dotierungsmustern auf Silizium — •F Müller, A.-D. Müller und M. Hietschold
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12:45 |
HL 5.10 |
Elektronische Struktur von Si(111):Sn-(√3 × √3)R30∘ — •R. Spettmann, K. Schroeder, S. Blügel und P. Entel
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13:00 |
HL 5.11 |
Grenzflächendefekte am Si/SiO2 -Interface — •Jürgen Albohn, Ngo Duong Sinh, Klaus Kliefoth, Walter Füssel und Walther Fuhs
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13:15 |
HL 5.12 |
Tunnelprozeßbestimmte Rekombinationsgeschwindigkeiten an ohmschen MIS-Kontakten auf Silizium — •Peter Kanschat, Klaus Kliefoth, Walter Füssel und Gottfried H. Bauer
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