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HL: Halbleiterphysik
HL 8: Transporteigenschaften
HL 8.13: Vortrag
Montag, 22. März 1999, 19:00–19:15, H2
Injektion von spinpolarisierten Elekronen durch semimagnetische Halbleiter — •J. Hübner, D. Hägele, P. Klar, W. Heimbrodt, W.W. Rühle und M. Oestreich — Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg, Renthof 5, D-35032 Marburg
Für die Verwirklichung neuartiger elektronischer Halbleiterbauelemente auf „Spinbasis“ist die
Injektion von spinpolarisierten Elektronen unabdingbar.
Wir untersuchen dazu die Möglichkeit der Spininjektion von
spinpolarisierten Elektronen durch Diffusion aus einer als „Spinausrichter“wirkenden
semimagnetischen Halbleiterschicht in eine
darunterliegende nichtmagnetische Halbleiterschicht.
Wir erzeugen unpolarisierte Elektronen im Leitungsband der semimagnetischen Halbleiterschicht
(Cd0.98Mn0.02Te auf CdTe) mittels 2ps Laserpulsen. Die Anregung
erfolgt in Faraday Geometrie, d.h. parallel zu einem äußeren
Magnetfeld. In der semimagnetischen Halbleiterschicht
stellt sich eine der Richtung
des angelegten Magnetfeldes entsprechende Spinpolarisation der Elektronen ein.
Die gemessene Spinumklappzeit ist in Cd0.98Mn0.02Te kürzer als unsere
Zeitauflösung von 10ps, während sie in CdTe ≈ 100ps beträgt.
Der Polarisationsgrad der Lumineszenz in der nichtmagnetischen
CdTe Schicht zeigt die Spininjektion von spinpolarisierten Elektronen aus der magnetischen
Halbleiterschicht.