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HL: Halbleiterphysik

HL 8: Transporteigenschaften

HL 8.2: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 16:15–16:30, H2

Stoßionisation von Löchern in ZnS, GaN und SrS — •Niels Fitzer¹, Martin Reigrotzki¹, Ronald Redmer¹, Wolfgang Schattke², Manfred Dür³ und Stephen M. Goodnick³ — ¹Uni Rostock, FB Physik, 18051 Rostock — ²Uni Kiel, Inst. f. Theor. Physik, 24118 Kiel — ³Arizona State Univ., Dept. of Electr. Eng., Tempe, AZ 85287-5706

Der Prozeß der Stoßionisation ist bei der Beschreibung

des Elektronentransports in Halbleitermaterialien unter dem

Einfluß hoher Felder zu berücksichtigen. Für die

entsprechende Streurate sind numerische Resultate unter voller

Berücksichtigung der Bandstruktur erhalten worden. Neben dem

elektronischen Prozeß ist für eine konsistente Behandlung

des Hochfeldtransports auch die Stoßionisation durch Löcher

zu behandeln. Durch Übergang ins Lochbild kann diese Streurate

analog zur elektronischen komplett numerisch berechnet werden.

Es werden Resultate für Halbleitermaterialien mit großer

Bandlücke (ZnS, GaN und SrS) präsentiert und ihr Einfluß

auf das Hochfeldverhalten diskutiert.