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HL: Halbleiterphysik

HL 8: Transporteigenschaften

HL 8.3: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 16:30–16:45, H2

Elektronischer Transport in Quantendrähten in Abhängigkeit des Magnetfeldes und der Temperatur — •M. Rother, W. Wegscheider, M. Bichler und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut, Techn. Universität München, D-85748 Garching

Durch in situ Überwachsen von Spaltflächen (Cleaved Edge Overgrowth) wurden hochwertige eindimensionale Elektronenkanäle mit einer Länge von 2µm hergestellt. An diesen Quantendrähten wurden Magnetotransportuntersuchungen im Temperaturbereich 0.3K - 10K bei Magnetfeldstärken bis 12T durchgeführt. Bei der Variation der Elektronendichte im Draht mit Hilfe einer Gateelektrode können die Beiträge einzelner eindimensionaler Subbänder zum differentiellen Leitwert aufgelöst werden. Diese Beiträge sind <2e²/h, steigen jedoch mit zunehmendem Magnetfeld an und nähern sich 2e²/h. Dieser Anstieg ist bei einem 400Å breiten Quantendraht deutlich stärker als bei einem 250Å breiten Draht. Zudem zeigt der 400Å breite Quantendraht bei Magnetfeldern >6T eine deutliche Spinaufspaltung der einzelnen Subbänder sowie eine

unterschiedlich starke Verschiebung der einzelnen Subbandenergien.

Ein Anstieg der quantisierten Plateaus im differentiellen Leitwert wurde auch bei Erhöhung der Temperatur beobachtet. Der Anstieg im Leitwert ist dabei näherungsweise für alle Subbänder gleich. Zusätzliches Anlegen eines

Magnetfeldes vermindert die Abhängigkeit von der Temperatur. Die Interpretation der Ergebnisse im Rahmen der Luttingerflüssigkeitstheorie wird diskutiert.