Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 9: Diamant
HL 9.1: Talk
Monday, March 22, 1999, 16:00–16:15, H3
Diamant / Ir / SrTiO3: Eine Materialkombination für die Realisierung von einkristallinen Diamantschichten? — •H. Roll, M. Schreck, F. Hörmann und B. Stritzker — Universität Augsburg, Institut für Physik, 86135 Augsburg
Trotz intensiver Arbeiten auf dem Gebiet der Heteroepitaxie von Diamant auf Silizium zeigen alle Schichten auf diesem Substrat nach wie vor Mosaikverteilungen mit minimalen Halbwertsbreiten (FWHM) von ca. 4o. Wir stellen als neues Substratmaterial dünne heteroepitaktische Ir-Schichten auf SrTiO3 (001) vor. Mit Hilfe des Biasverfahrens konnte auf diesen Substraten Diamant mit Keimdichten an epitaktischen Kristallen von 109cm−2 deponiert werden. Röntgentexturmessungen liefern die Orientierungsbeziehung Diamant(001)[100] ∥ Ir(001)[100] ∥ SrTiO3(001)[100]. Bereits bei extrem geringen Schichtdicken (600nm) findet man für die Schärfe der Textur (FWHM) einen Wert von 1o. Die Peakverschiebungen der Braggreflexe sowie der Ramanlinien liefert eine mittlere Druckspannung in der Schichtebene von 4,8 GPa. Bei dickeren Diamantschichten, die sich infolge der thermischen Spannungen vom Substrat lösen, wurden erstmals Werte für die Fehlorientierung deutlich unter 1o (0,34o polar, 0,65o azimuthal) gemessen. Diamant/Ir/SrTiO3 ist im Moment der aussichtsreichste Kandidat für die zukünftige Realisierung einkristalliner Diamantschichten.