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M: Metallphysik
M 17: Diffusion II
M 17.13: Talk
Tuesday, March 23, 1999, 18:45–19:00, S 9
Diffusion von implantierten 195Au-Radiotracer-Atomen in amorphem Silizium unter Bestrahlung mit 1 MeV-N+-Ionen — •T. Voss1, P. Scharwaechter1, W. Frank1,2 und ISOLDE- Kollaboration3 — 1Inst. f. Theoret. u. Angew. Phys. der Univ. Stuttgart — 2MPI f. Metallf., Stuttgart — 3CERN, Genf
Frühere Untersuchungen von Horz et. al. [1]
haben gezeigt, daß die Diffusion von Gold in amorphem Silizium (a-Si)
über einen direkten „Zwischengitteratom“-Mechanismus erfolgt,
welcher durch unbewegliche Fehlstellen vom Leerstellentyp verzögert
wird. Es wird gezeigt, daß N+-Bestrahlung die Au-Diffusion in
a-Si durch die Erzeugung von „Eigen-Zwischengitteratomen“
(E-ZGA) in zweifacher Weise beeinflußt: (i) Bewegliche Einfach-E-ZGA
verdrängen Au-Atome aus Fallen vom Leerstellentyp und erhöhen so die
Au-Diffusivität. (ii) An Orten hoher E-ZGA-Konzentration bilden sich
unbewegliche E-ZGA-Agglomerate, welche Au-Atome vorübergehend
festhalten. Dies geschieht in geringem Umfang auch ohne Bestrahlung
als Folge der E-ZGA-Produktion bei der 195Au-Implantation.
M. Horz, W. Gustin, P. Scharwaechter und W. Frank, Def. and Diff.
Forum 143–147, 653–710 (1997)