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M: Metallphysik

M 25: Symposium „Metallphysikalische Probleme in der Mikroelektronik “

Donnerstag, 25. März 1999, 16:30–17:45, S 8

16:30 M 25.1 Effekte von Legierungselementen auf die Elektromigrationseigenschaften von Aluminium — •R. Spolenak, O. Kraft und E. Arzt
16:45 M 25.2 Steigerung der Haftung von Metall auf Polymer durch gezieltes Grenzflächendesign — •C. v. Bechtolsheim, V. Zaporojtchenko und F. Faupel
17:00 M 25.3 Der Einfluß von Partikelverunreinigungen auf die Korrosion von elektronischen Bauteilen — •M. Unger, M. Stratmann und R. Lobnig
17:15 M 25.4 Analyse der Nanokristallisation von dünnen amorphen TaSiN- und TiSiN-Schichten — •C. Pinnow, M. Bicker, S. Schneider, U. Geyer, G. Goerigk und H.-G. Haubold
17:30 M 25.5 Anelastische Eigenschaften von Aluminiumschichten auf Silizium bei hohen Temperaturen. — •Ulrich Harms, Frank Klose, Hartmut Neuhäuser, Klaus Fricke und Andreas Schlachetzki
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